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MJ15011G中文资料

MJ15011G图片

MJ15011G外观图

  • 大小:61.78KB
  • 厂家:ONSEMI
  • 描述:ON Semiconductor [Complementary Silicon Power Transistors]
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):250V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 400mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大:200W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-204AA,TO-3
  • 供应商设备封装:TO-3
  • 包装:托盘
  • 其它名称:MJ15011GOS

MJ15011G供应商

更新时间:2023-01-09 11:17:23
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